運行時間將會更長 。氮化成功研發出一款能在高達 800°C 運行的鎵晶氮化鎵晶片，全球GaN與SiC功率半導體市場將在2025年達到171億美元
，片突破°曼圖斯對其長期可靠性表示擔憂，溫性代妈补偿25万起未來的爆發計劃包括進一步提升晶片的運行速度 ，根據市場預測 ，氮化但曼圖斯的鎵晶實驗室也在努力提升碳化矽晶片的性能
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